发明授权
CN100522810C 具有分层次孔隙度的含硅材料
失效 - 权利终止
- 专利标题： 具有分层次孔隙度的含硅材料
- 专利标题（英）： Material with hirarchized porosity, comprising silicium
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申请号： CN200510080927.1申请日： 2005-06-24
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公开(公告)号： CN100522810C公开(公告)日： 2009-08-05
- 发明人: A·肖蒙诺特 , A·库佩 , C·桑切斯 , P·厄岑 , C·布瓦西埃 , D·格罗索
- 申请人： 法国石油公司
- 申请人地址： 法国吕埃-马迈松
- 专利权人： 法国石油公司
- 当前专利权人： 法国石油公司
- 当前专利权人地址： 法国吕埃-马迈松
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 刘维升; 段晓玲
- 优先权： 04/06940 2004.06.24 FR
- 主分类号： C01B37/02
- IPC分类号： C01B37/02 ; B01J29/00 ; C04B35/18 ; C04B35/14
摘要：
叙述了由至少两种基本的球形粒子组成的具有分层次孔隙度的材料，每一种所述球形粒子含有孔隙度为0.2～2nm的沸石型纳米晶体和孔隙度为1.5-30nm并具有厚度为1～20nm的无定形壁的中度结构化的基于氧化硅的基质，所述初级球形粒子的最大直径为10μm。该基于氧化硅的基质可含有铝。还叙述了所述材料的制备方法。
公开/授权文献
- CN1884191A 具有分层次孔隙度的含硅材料 公开/授权日：2006-12-27
