一种CMOS影像感测组件，包含有第一导电型半导体基材；一栓固式光二极管，设于该半导体基材的光感应区内，包含有第二导电型电荷累积掺杂区及设于该电荷累积掺杂区上的第一导电型表面栓固掺杂层；一转换晶体管，设于靠近该栓固式光二极管处，该转换晶体管包含有一转换栅极，其具有一凸出的第一栅极区块，且该第一栅极区块具有第一栅极线宽，及一第二栅极区块，且该第二栅极区块具有小于该第一栅极线宽的第二栅极线宽，该凸出的第一栅极区块与电荷累积掺杂区之间的第一重叠区域大于第二栅极区块与电荷累积掺杂区之间的第二重叠区域。