发明授权
CN100401517C 半导体装置
失效 - 权利终止
- 专利标题： 半导体装置
- 专利标题（英）： Semiconductor device
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申请号： CN01813021.6申请日： 2001-06-01
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公开(公告)号： CN100401517C公开(公告)日： 2008-07-09
- 发明人: 畑田贤造 , 佐藤浩三
- 申请人： 新藤电子工业株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 新藤电子工业株式会社
- 当前专利权人： 新藤电子工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理商 章社杲
- 优先权： 218815/00 2000.07.19 JP; 218824/00 2000.07.19 JP
- 国际申请： PCT/JP2001/004656 2001.06.01
- 国际公布： WO2002/007220 JA 2002.01.24
- 进入国家日期： 2003-01-17
- 主分类号： H01L25/10
- IPC分类号： H01L25/10
摘要：
在依次迭层搭载半导体芯片(电子零件)(12)的多个绝缘基板(101～104)所成的半导体装置中，上述迭层的各绝缘基板之中，以最下层的基板为第一绝缘基板(101)、以其它基板为第二绝缘基板(102～104)时，配设第二导电性配线(112～114)，使得从其第二绝缘基板的周缘突出，使该第二导电性配线朝各该第二绝缘基板的他面侧弯曲，以导通连接该弯曲的第二导电性配线与比该第二绝缘基板还下一层的绝缘基板上的导电性配线。
公开/授权文献
- CN1443370A 半导体装置 公开/授权日：2003-09-17
IPC分类:
